IT之家 7 月 8 日音讯，IT之家从复旦大学高分子科学系得悉，该校研讨团队规划了一种新式半导体性光刻胶，使用光刻技能在全画幅标准芯片上集成了 2700 万个有机晶体管并完成了互连，集成度到达特大规划集成度（ultra-large-scale integration，ULSI）水平。

　　2024 年 7 月 4 日，该效果以《根据光伏纳米单元的高功能大规划集成有机光电晶体管》为题发表于《天然・纳米技能》。

　　芯片集成度可大致分为小规划集成度 (SSI)、中规划集成度 (MSI)、大规划集成度 (LSI)、超大规划集成度 (VLSI) 和特大规划集成度 (ULSI)，此前，有机芯片的制作办法最重要的包括丝网印刷、喷墨打印、真空蒸镀、光刻加工等，集成度一般只能到达大规划集成度 (LSI) 水平。

　　光刻胶又称为光致抗蚀剂，在芯片制作中扮演着要害人物，通过曝光、显影等进程能够将所需求的微细图形从掩模板转移到待加工基片上，是一种光刻工艺的根底资料。

　　复旦团队规划了一种由光引发剂、交联单体、导电高分子组成的新式功用光刻胶。光交联后形成了纳米标准的互穿网络结构，兼具杰出的半导体功能、光刻加工功能和工艺稳定性。该光刻胶不仅能完成亚微米量级特征标准图画的牢靠制作，并且该图画自身便是一种半导体，然后简化了芯片制作工艺。

　　光刻制作的有机晶体管互连阵列包括 4500×6000 个像素，集成密度到达 3.1×106单元每平方厘米，即在全画幅标准芯片上集成了 2700 万个器材，到达特大规划集成度 (ULSI)，其光呼应度到达 6.8×106安培每瓦特，高密度阵列能够转移到柔性衬底上，完成了仿生视网膜使用。

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